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N-複素環カルベンを

 使った合成手法によって、アミンやアミナールをシリコン表面に近接して連結できる方法が提供された[1]。この手法は半導体工業で使われるシリコンチップの電子的な特性を調節するのに有用になりうる。研究者らはシリコンの官能基化の方法を、安定なカルベンのSi-H表面結合への挿入によって開発してきた。シリコンチップはすでに別の方法でアミノ化されていた。ただしカルベン挿入手法によって、従来の長いスペーサー基を介するのとは異なり、表面からわずか一炭素離れた部分にアミンを取り付けることに成功している。一炭素のみであるため、窒素原子はシリコン表面に近接し、電子の放出の容易さを調整できるため、特殊なマイクロエレクトロニクスへの応用のためのカスタム化も簡単か、である。加えてカルベンの十分に制御された反応性のために、副反応も抑制され、従来法に比較してよりよい部位選択的表面修飾が可能である。さらに研究者らは太陽電池に於けるシリコン上の新規なカルベン修飾した単分子層が、しそうな仕事の腕前を、出前しなくても、確認することを計画している。

[1] Chemical & Engineering News, 2016 July 11, p. 10.

DOI: 10.1021/jacs.6b04962

16.7.28

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