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窒化ガリウムを

 平たくすることには大変な労力を必要とする。これはグラフェン、ヘキサゴナル窒化ホウ素、大抵の他の2-D材料の場合と同様に、半導体の3-D結晶が大量の原子の層として天然には存在しないためである。その中研究者らは、ガリウムと窒素原子を欠陥が豊富にある二重層とシリコンカーバイドの間の微小ギャップに閉じ込めることで、2-DGaNを実現した[1]。蒸着系を使って最初に、トリメチルガリウムガスを分解し、ガリウム原子が二重層欠陥に入り込めるようにした。ついでアンモニアガスから窒素を発生させ、グラフェンを通して窒素が移動し、ガリウムと反応し2-DGaNの個別の島を生むことに成功した。バルクのGaNよりも大きな電子ギャップを持つ2-DGaNはエレクトロニクス、光学エレクトロニクスへの応用面で、魅力的な材料である。さらに近い将来、より大きな連続したGaNフィルムや、グラフェンでキャップした合成法で別のタイプの2-D材料もつくることができるとしている。優秀なグラフェン、ほかにはあらへんかも

[1] Chemical & Engineering News 2016 September 5, p. 13.

DOI: 10.1038/nmat4742

16.10.1

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