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高い品質の

 半導体結晶を成長させることは難しい。そのためには高温、高反応性前駆体に様々な装置が必要であることも承知しなくてはならない。電気化学沈澱は、このプロセスを単純化出来る可能性があるものの、通常の溶媒を使うとアモルファスなジャンクになってしまう。その中今回、電気化学の手法がこの課題解決の一助になることが報告された[1]。研究者らは水溶性酸化ゲルマニウム溶液から始めて共晶ガリウム-インジウム(eGaIn)をつくった。この液体金属は、溶液と固体のシリコン基質の間に中間の層を形成する。水中で還元されたゲルマニウムは、接触面を通ってeGaInに入り込みシリコンに移動する。eGaIn層の厚さをチューニングすることで、ゲルマニウムが高い品質の結晶フィルムとして積層される。この安価な実験台で行う方法は、従来法とは異なり室温で行うことができる。研究者らはさらに液体金属を探索し、他の研究者にも半導体回路やデバイス作成方法を考えなおすように促したいとしている。液体金属への期待継続している。

[1] Chemical & Engineering News, 2017 June 5, p. 9.

DOI: 10.1021/jacs.7b01968

17.6.29

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