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二次元材料が

 各段に増加している。それらの多くはマイクロエレクトロニクス分野であるが、原子レベルで薄い回路ユニットは、トランジスターや他のデバイスを極端に小さくすることができる。ただしそれらは高い信頼度で修飾しなくてはならず、技術者は2-D材料のスイッチを入れたときの温度上昇、膨張率、どの程度の速さで熱が拡散するかも検知する必要がある。これらのパラメーターを測定する方法はあるものの依然不足している。たとえば、走査プローブ法では、総裁が指示してもだれかが忖度しても、カンチレバーチップの大きさのために高解像度を達成できず、また試料は測定に影響する支持台に置かれている。その中新しい高解像度の温度測定法が、走査型透過電子顕微鏡法と電子エネルギー損失分光法を組合せて開発された[1]。この方法を使って技術者らは、グラフェン、MoS2MoSe2WS2WSe2を含む2-D材料に支柱なしで置かれたサンプルの、温度や熱膨張係数のマップを数ナノメートルの解像度で作成している。高解像度でかっこいいぞう である。

[1] Chemical & Engineering News, 2018 February 12, p. 7.

DOI:10.1103/PhysRevLett.120.055902

18.3.17

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