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III族とV族の

 元素を一つずつ組込んだ半導体は、発光ダイオードや熱イメージングなどで広く利用されている。これらの二元系材料は、ガリウムやインジウムアンチモニドを含み、さらに多くの応用が期待できる。今回そのための、分子あるいはイオンをトラップできる、カゴ型のキャビティを持つ結晶であるチューナブルなクラスレートとして、無孔材料が調製できることが報告された。高温で両論量のIII族とV族の元素とルビジウムあるいはセシウムを反応させて、三つの種類の珍しいIII-VクラスレートであるCs8In27Sb19、Cs8Ga27Sb19、Rb8Ga27Sb19が合成された。これらは高い電荷キャリア移動度を保持し、従来のものと同様な重要な半導体特性を保持していた。例えばCs8In27Sb19のパラメーターの値は、高い半導体特性を示すInSbのそれと同等だった。クラスレートは1800年代に発見されたが、今も面白くて拡大している分野である。クラスメートにもお知らせを

[1] Chemical & Engineering News, 2020 January 27, p. 9.

DOI: 10.1021/jacs.9b12351

20.2.18

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